半導体の酸化機構と酸化膜　

酸化は、半導体デバイスにおいて最も重要な技術の一つです。本書は、主にSiおよびSiCの酸化機構、さらにそれによって形成されたSiO2と界面の特徴について、酸化に伴って起こる様々な現象の物理的理解に関する議論と、さらにその理解に基づいて課題をどのように克服したらよいのかという議論から構成されています。半導体デバイスをこれから学ぼうとする方はもちろん、すでに本分野の研究活動にたずさわっている方、また本領域を専門としない半導体技術のプロの方にも，酸化の奥深さと面白さを味わっていただくことができます。
【目次】
第1部 序論
第1章 Siの熱酸化機構とSiO2特性

第2部 ゲートスタック
第2章 絶縁特性高信頼化とともに進む熱酸化技術―物理的理解と信頼性―
第3章 SiC MOS
第4章 SiGeの酸化とMOS界面特性

第3部 酸化過程および酸化膜解析
第5章 Si酸化の素過程
第6章 チャージポンピング法で見たSi/SiO2界面欠陥
第7章 ESR分光で見る界面欠陥：SiとSiC
第8章 共鳴核反応法による酸化膜中の水素分析

第4部 酸化機構
第9章 第一原理計算から見たSiの酸化機構
第10章 Si酸化の速度論
第11章 SiCの表面酸化機構と酸化に伴う表面現象の理解
第12章 SiC酸化の速度論
第13章 Geの酸化